Tunnel magnetoresistance effect element, magnetic memory, built-in memory, and method for manufacturing tunnel magnetoresistance effect element
WO2019077661
Art A1
25. April 2019
Anmelder: TDK Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019077661
- Aktenzeichen
- EP17929218
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2017
- Veröffentlichung
- 25. April 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L43/10H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TDK Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
TDK Corporation
TDK Corporation ist ein japanischer Hersteller elektronischer Bauteile, bekannt für Kondensatoren, Sensoren, Batterien und Magnetwerkstoffe.
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