Ion trap electrode forming method, and device using same

WO2019078377 Art A1 25. April 2019

Anmelder: ID Quantique S.A., Seoul National University R&DB Foundation 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019078377
Aktenzeichen: EP17928894
Anmeldetag: 18. Oktober 2017
Veröffentlichung: 25. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01J9/14H01J49/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: ID Quantique S.A.
Seoul National University R&DB Foundation
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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