Free layer sidewall oxidation and spacer assisted magnetic tunnel junction (mtj) etch for high performance magnetoresistive random access memory (mram) devices

WO2019079553 Art A1 25. April 2019

Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019079553
Aktenzeichen: EP18799952
Anmeldetag: 18. Oktober 2018
Veröffentlichung: 25. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd
Land: 🇹🇼 Taiwan

🇹🇼 Taiwan Semiconductor Manufacturing

Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.

354 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von