Transistors having gates with a lift-up region

WO2019079610 Art A1 25. April 2019

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019079610
Aktenzeichen: EP18869183
Anmeldetag: 18. Oktober 2018
Veröffentlichung: 25. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

3.600 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von