Memory transistor, fabrication method thereof and semiconductor device
WO2019080850
Art A1
2. Mai 2019
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019080850
- Aktenzeichen
- EP18869744
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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