Method for heat-treating substrate

WO2019082536 Art A1 2. Mai 2019

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019082536
Aktenzeichen: EP18869646
Anmeldetag: 12. September 2018
Veröffentlichung: 2. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/20H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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