Semiconductor device production method employing silicon-containing resist underlayer film-forming composition including organic group having ammonium group

WO2019082934 Art A1 2. Mai 2019

Anmelder: Nissan Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019082934
Aktenzeichen: EP18870603
Anmeldetag: 24. Oktober 2018
Veröffentlichung: 2. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/26C08G77/388G03F7/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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