Method for manufacturing soi wafer having thin-film soi layer

WO2019087517 Art A1 9. Mai 2019

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019087517
Aktenzeichen: EP18872489
Anmeldetag: 13. August 2018
Veröffentlichung: 9. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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