Reading circuit for resistance change memory device and method for reading same
WO2019087769
Art A1
9. Mai 2019
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019087769
- Aktenzeichen
- EP18872313
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 9. Mai 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/16G11C7/14G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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