Etching metal oxide substrates using ale and selective deposition

WO2019089196 Art A1 9. Mai 2019

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019089196
Aktenzeichen: EP18874760
Anmeldetag: 9. Oktober 2018
Veröffentlichung: 9. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/311H01L21/3213H01L21/027H01L21/02H01L21/67G03F7/20G03F1/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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