Reduction in leakage current and increase in efficiency of iii-nitride leds by sidewall passivation using atomic layer deposition

WO2019089697 Art A1 9. Mai 2019

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019089697
Aktenzeichen: EP18874561
Anmeldetag: 31. Oktober 2018
Veröffentlichung: 9. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/06H01L33/08H01L33/14

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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