Interconnection structure of metal lines, method of fabricating the same and semiconductor device

WO2019091421 Art A1 16. Mai 2019

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019091421
Aktenzeichen: EP18875711
Anmeldetag: 8. November 2018
Veröffentlichung: 16. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/528H01L23/538H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Changxin Memory Technologies, Inc.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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