Semiconductor device and method for producing semiconductor device

WO2019093015 Art A1 16. Mai 2019

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019093015
Aktenzeichen: EP18876371
Anmeldetag: 28. September 2018
Veröffentlichung: 16. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/28H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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