Method and apparatus for anisotropic pattern etching and treatment

WO2019094304 Art A1 16. Mai 2019

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019094304
Aktenzeichen: EP18877258
Anmeldetag: 2. November 2018
Veröffentlichung: 16. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67H01L21/3065H01L21/687H05H1/46H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von