Method for lowering contact resistance of two-dimensional material field effect transistor
WO2019095532
Art A1
23. Mai 2019
Anmelder: Soochow University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019095532
- Aktenzeichen
- EP18878235
- Anmeldetag
- 4. Januar 2018
- Veröffentlichung
- 23. Mai 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/335H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soochow University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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