Oxide semiconductor phototransistor having improved visible light absorption rate, and manufacturing method therefor

WO2019098477 Art A1 23. Mai 2019

Anmelder: LG Display Co., Ltd., UIF (University Industry Foundation), Yonsei University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019098477
Aktenzeichen: EP18878120
Anmeldetag: 14. Juni 2018
Veröffentlichung: 23. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/52H01L27/32H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: LG Display Co., Ltd.
UIF (University Industry Foundation), Yonsei University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 LG Display

Südkoreanisches Unternehmen, das Flachbildschirme entwickelt und fertigt, insbesondere LCD- und OLED-Displays für Fernseher, Monitore, Smartphones und Fahrzeuge.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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