Epitaxial growth and transfer via patterned two-dimensional (2d) layers

WO2019099461 Art A1 23. Mai 2019

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019099461
Aktenzeichen: EP18878754
Anmeldetag: 14. November 2018
Veröffentlichung: 23. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L23/532H01L23/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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