Self-Limiting Growth

WO2019099997 Art A1 23. Mai 2019

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019099997
Aktenzeichen: EP18878773
Anmeldetag: 19. November 2018
Veröffentlichung: 23. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285H01L21/324H01L21/02H01L21/67C23C16/44

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von