Algan/gan heterojunction hemt device compatible with si-cmos process, and manufacturing method therefor

WO2019100793 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: South China University Of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019100793
Aktenzeichen: EP18882159
Anmeldetag: 29. August 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/20H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University Of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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