Three-dimensional memory structure and manufacturing method thereof

WO2019100836 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019100836
Aktenzeichen: EP18880133
Anmeldetag: 21. September 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3105H01L21/8242H01L27/11551H01L27/11578H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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