Method and structure for cutting dense line patterns using self-aligned double patterning

WO2019100899 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019100899
Aktenzeichen: EP18882195
Anmeldetag: 25. Oktober 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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