Transistor Having Oxide Semiconductor

WO2019102316 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019102316
Aktenzeichen: EP18881595
Anmeldetag: 15. November 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/08H01L21/336H01L21/363H01L21/8234H01L21/8242H01L27/06H01L27/088H01L27/10H01L27/108H01L27/1156H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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