Semiconductor device, power module, and power supply device

WO2019102665 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019102665
Aktenzeichen: EP18880379
Anmeldetag: 20. August 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/467H01L23/36H01L23/373H01L25/07H01L25/18H02M7/48

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von