Semiconductor device

WO2019103135 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019103135
Aktenzeichen: EP18881915
Anmeldetag: 26. November 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/12H01L29/41H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von