Dry etch rate reduction of silicon nitride films

WO2019103819 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019103819
Aktenzeichen: EP18880853
Anmeldetag: 1. November 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H05H1/46H01J37/32H01L21/67C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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