Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for fin field effect transistor formation

WO2019103877 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019103877
Aktenzeichen: EP18882098
Anmeldetag: 13. November 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/78H01L21/02H01L21/3065H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von