Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

WO2019103878 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019103878
Aktenzeichen: EP18880469
Anmeldetag: 13. November 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/311H01L21/02H01L21/033C23C16/56C23C16/455C23C16/04C23C16/50C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von