Selective growth of sio2 on dielectric surfaces in the presence of copper

WO2019104209 Art A1 31. Mai 2019

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019104209
Aktenzeichen: EP18880481
Anmeldetag: 21. November 2018
Veröffentlichung: 31. Mai 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/285H01L21/324C23C16/455C23C16/04C23C16/40C23C16/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von