Gate Insulation-Type Transistor

WO2019106948 Art A1 6. Juni 2019

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019106948
Aktenzeichen: EP18883706
Anmeldetag: 3. Oktober 2018
Veröffentlichung: 6. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/76H01L21/336H01L21/822H01L21/8234H01L27/04H01L27/06H01L27/088H01L29/12H01L29/78H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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