Tunneling Field Effect Transistor

WO2019107411 Art A1 6. Juni 2019

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019107411
Aktenzeichen: EP18884298
Anmeldetag: 28. November 2018
Veröffentlichung: 6. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L21/336H01L29/78

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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