Method of improving deposition induced cd imbalance using spatially selective ashing of carbon based film

WO2019108406 Art A1 6. Juni 2019

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019108406
Aktenzeichen: EP18883347
Anmeldetag: 15. November 2018
Veröffentlichung: 6. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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