Silicon Oxide Silicon Nitride Stack Stair Step Etch

WO2019108844 Art A1 6. Juni 2019

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019108844
Aktenzeichen: EP18882451
Anmeldetag: 29. November 2018
Veröffentlichung: 6. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3065H01L21/033H01L21/306H01L21/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von