Fin field effect transistor using carbon nanotubes as conductive trenches and preparation method thereof
WO2019109376
Art A1
13. Juni 2019
Anmelder: Soochow University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019109376
- Aktenzeichen
- EP17933926
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 13. Juni 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soochow University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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