Low-voltage electrostatic discharge (esd) protection circuit, integrated circuit and method for esd protection thereof
WO2019110016
Art A1
13. Juni 2019
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019110016
- Aktenzeichen
- EP18886076
- Anmeldetag
- 7. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 13. Juni 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H02H9/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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