Semiconductor device, and manufacturing method for semiconductor device

WO2019111091 Art A1 13. Juni 2019

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019111091
Aktenzeichen: EP18886470
Anmeldetag: 26. November 2018
Veröffentlichung: 13. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/336H01L21/8242H01L27/108H01L27/11551H01L27/1156H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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