Semiconductor device

WO2019111113 Art A1 13. Juni 2019

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019111113
Aktenzeichen: EP18884937
Anmeldetag: 30. November 2018
Veröffentlichung: 13. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/336H01L21/822H01L21/8242H01L27/04H01L27/06H01L27/088H01L27/108H01L27/1156H01L29/78H01L29/786H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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