Resist pattern formation method and composition for resist film formation

WO2019111665 Art A1 13. Juni 2019

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019111665
Aktenzeichen: EP18885560
Anmeldetag: 14. November 2018
Veröffentlichung: 13. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/004C08G79/00G03F7/20G03F7/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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