Rf pulsing within pulsing for semiconductor rf plasma processing

WO2019112849 Art A1 13. Juni 2019

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019112849
Aktenzeichen: EP18885497
Anmeldetag: 28. November 2018
Veröffentlichung: 13. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H03K3/57H01J37/32H03K5/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von