Method for incorporating multiple channel materials in a complementary field effective transistor (cfet) device

WO2019112952 Art A1 13. Juni 2019

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019112952
Aktenzeichen: EP18886082
Anmeldetag: 3. Dezember 2018
Veröffentlichung: 13. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/306H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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