High aspect ratio via etch using atomic layer deposition protection layer

WO2019113482 Art A1 13. Juni 2019

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019113482
Aktenzeichen: EP18886494
Anmeldetag: 7. Dezember 2018
Veröffentlichung: 13. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3065H01L21/027H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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