Silicon carbide power semiconductor device having low on-resistance
WO2019114201
Art A1
20. Juni 2019
Anmelder: Southeast University, Southeast University-Wuxi Institute Of Integrated Circuit Technology 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019114201
- Aktenzeichen
- EP18889465
- Anmeldetag
- 29. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Southeast University
Southeast University-Wuxi Institute Of Integrated Circuit Technology - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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