Semiconductor device

WO2019116696 Art A1 20. Juni 2019

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019116696
Aktenzeichen: EP18887834
Anmeldetag: 5. Oktober 2018
Veröffentlichung: 20. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/8234H01L27/06H01L29/06H01L29/12H01L29/739H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von