Pressure-contact type semiconductor device and method for producing pressure-contact type semiconductor device
WO2019116736
Art A1
20. Juni 2019
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019116736
- Aktenzeichen
- EP18887403
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/52H01L23/02H01L23/04H01L25/07H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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