Gate Drive Circuit

WO2019116825 Art A1 20. Juni 2019

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019116825
Aktenzeichen: EP18888588
Anmeldetag: 16. November 2018
Veröffentlichung: 20. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/687H02M1/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik

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