Low resistance mgo capping layer for perpendicularly magnetized magnetic tunnel junctions

WO2019118288 Art A1 20. Juni 2019

Anmelder: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019118288
Aktenzeichen
EP18829630
Anmeldetag
7. Dezember 2018
Veröffentlichung
20. Juni 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L43/08H01L43/12
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
Land
🇹🇼 Taiwan
🇹🇼 Taiwan Semiconductor Manufacturing

Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.

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