Low resistance mgo capping layer for perpendicularly magnetized magnetic tunnel junctions
WO2019118288
Art A1
20. Juni 2019
Anmelder: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019118288
- Aktenzeichen
- EP18829630
- Anmeldetag
- 7. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇹🇼
Taiwan Semiconductor Manufacturing
Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.
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