Methods of etching metal oxides with less etch residue

WO2019118684 Art A1 20. Juni 2019

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019118684
Aktenzeichen: EP18889633
Anmeldetag: 13. Dezember 2018
Veröffentlichung: 20. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213H01L21/306H01L21/027H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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