N-polar plane high-frequency gan rectifier epitaxial structure on silicon substrate and manufacturing method therefor

WO2019119589 Art A1 27. Juni 2019

Anmelder: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019119589
Aktenzeichen: EP18891561
Anmeldetag: 16. Januar 2018
Veröffentlichung: 27. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/04H01L29/06H01L29/861H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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