Silicon nanotube, field effect transistor-based memory cell, memory array and method of production

WO2019123216 Art A1 27. Juni 2019

Anmelder: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019123216
Aktenzeichen: EP18842467
Anmeldetag: 17. Dezember 2018
Veröffentlichung: 27. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/78H01L27/11563H01L29/06H01L29/08H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von