Method for forming square spacers

WO2019125640 Art A1 27. Juni 2019

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019125640
Aktenzeichen: EP18890675
Anmeldetag: 9. November 2018
Veröffentlichung: 27. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/3065H01L21/02H01J37/32C23C16/455C23C16/04C23C16/56C23C16/505C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von