Method and precursor selection for flowable silicon dioxide gap fill for advanced memory application

WO2019125933 Art A1 27. Juni 2019

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019125933
Aktenzeichen: EP18893000
Anmeldetag: 14. Dezember 2018
Veröffentlichung: 27. Juni 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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